Pêvajoya çêkirina fîlimê anti refleksê

Pêvajoya teknolojîk
Materyalên mezinbûnê û çavkaniyên gazê peyda bikin: Materyalên mezinbûnê ji bo fîlimê anti refleksiyonê, dema ku çavkaniyên gazê yên ku li gorî materyalên mezinbûnê peyda dikin, wekî Sih ₂, û n ₂ kombînasyona çavkaniyên gazê peyda dikin.
Damezrandina Pêla Reflection ya Anti: Bi heman materyalê mezinbûnê bikar bînin ku bi kêmî ve du hebên refleksê fîlimê li dijî binpêkirina fîlimê ya anti Substrate Layer dikare di nav rêza mezinbûna fîlimê de, û pêlika si, û dirûvê sûkê jî bike. Kulîlka du-layer anti refleksê (yekem û reflekseya refleksê ya anti û ravekirina duyemîn) wekî pêvajoya mezinbûnê ya epitaxial (mînakek plasma ya ku Plasma vegirtina Damezrandina Kîmyewî ya Pekvd ve hatî avakirin) pêk tê. Pêngavên taybetî wiha ne:
Pêvajoya Substrate: Piştî pêvajoya paqijkirinê ya nîvgirava li ser pîvanê substrate, li ser amûrên depoya CVD-ê, pêlika substrate bicîh bikin.
Mîhengên Parametreya Amûreyê: Kontrol bikin ku germahiya elektrodê ya jorîn ji alavên Depoya CVD-ê û pileya 200-300 û germahiya elektrodê ya jêrîn heya 250-350 derece.
Mezinahiya yekem a Anti Reflection Pîvanên Depoya Depoyê ya CVD-ê, dema yekem rûkeniya reklamê ya CVD-ê bicîh bikin, da ku pêşî li ser rêjeya bermayiyê ya yekem a anti 1.4-1.71.
Mezinahiya Pêla Duyemîn ya Duyemîn apokirina Duyemîn a Amûrên Damezrandina Duyemîn, di wextê Duyemîn ya Duyemîn de, û her duyemek duyemîn a ku li ser pêlika duyemîn a dijî refleksiyonê, bi navgîniya çîmentoyê ya yekem a anti 10-200nm û indexek nûvekirina 1.4-1.71.

Avantajên teknolojîk
Bi karanîna heman materyalê mezinbûnê, fîlma refleksa anti dikare li gorî fîlimên belavkirina antî yên ku tê bikar anîn, kêmkirina cûrbecûrên gazê, ji ber ku di dema pêvajoya amadekirinê de, di derheqê çavkaniyên amadekirinê û qada xebatê de kêm bike.

Pêvajoya çêkirina Hybrid Sio ₂ / Tio ₂ fîlimê refleksê anti

Pêvajoya teknolojîk
Amadekirina substrates: Substratesên zelal ên wekî qelew, pîşeya organîk, fîlimê polisî, hwd. Heke hewce be, poliskirina yek alî an du-alî dikare were kirin da ku karbidestiya veguhastina ronahiyê baştir bike.
Amadekirina pêşgira fîlimê: Tetraethoxysilane (Teos) û Tetrabutyl Titanate (TBT) li etanol tê zêdekirin, û reaksiyonek ji bo salona veguheztinê ya zelal pêk tê.
Coating and Curing: Pergala Gel ya Amadedirî li ser substrateya zelal, û dirûvê spîn, rijandin, şûştin û nexşeyên din dikarin bêne çêkirin. Piştî hevrêziyê, Sio Sio ₂ / Tio ₂ Pêşkêşkerê fîlimê ji bo dermankirin û dermankirina dermankirinê tê danîn, avakirina avahiyek pir-layer.
Coating Circular: Pêvajoya hevrêz û qamyonê dubare bikin heya ku bandora refleksê ya antî ya xwestî were wergirtin. Demên cuda û rêzikên cûda dê bandorê li ser performansa fîlimên anti refleksiyonê bikin, û lêkolîn û xweşbîniyê hewce ne.
Dermankirina erdê: Ji bo zêdebûna durust û aramiya fîlimê anti refleksiyonê, pişkek polîmer ya hîdrofîlîk û hîdrofobîk dikare li ser rûyê fîlima anti refleksiyonê were hesibandin.

Pêvajoya çêkirina fîlimê nerazîbûna infrared
Pêvajoya teknolojîk
Fîlmê refleksê ya infrared li ser silicon û bi fîlimên refleksê yên li ser herdu aliyên substrate ve girêdayî ye. Struktura pergala fîlimê ya fîlimê anti ji hevdû re serbixwe ye, ku heqê si temsîl dike, l temsîl dike ku sio layer, s temsîl dike ku temsîlkirina strukturên bingehîn ên HL, û nirxa S di navbera 3-6 de ye. Si layer li kêleka substrate ye, û lingê sio li ser rûyê erdê ye. Pêvajoya koçberiyê ji bo girêdana fîlimê li jêrzemîna fîlimê, bi pêlika fîlimê ya SIO, ya ku pîvana jorîn heye, ya ku hişkiya bilind heye û pêdivî ye ku pişkek parastinê ya zêde hewce nake. Wekî din, SIO xwedan nîşana nûvekirinê ya nizm e, ku dikare refleksa rûyê erdê kêm bike û bêtir veguhastina infrared zêde bike.

Pêvajoya çêkirinê ya CO-ya berxwedana bilind a Laser anti refleksiyonê
Pêvajoya teknolojîk
Materyal Pre Mater Melting: Dermankirina Melting Cleacing li ser fluoride yttrium, fluoride ya kalsium, û materyalên fîlimê yên Zincî yên ku li hundurê materyalên fîlimê rakirin.
Layer Film Depoya: Pêşkêşkerê Yttrium Fluoride, Lîstika Fluoride ya Yttrium, û Duyemîn Seleksiyonên Yttrium li ser pêlavek substrate ya Zincê bi pîvazek 3 ± 0,1mm ji hêla vacuum ve hatî avêtin. Qada dorpêçê ya her perdeyê li ser 95% ji qada erdê ya qada substrate ye. Pêdiviyên fîzîkî yên fîzîkî yên ji bo her pîvanê wiha ne: Pîvaza fîzîkî ya yekem a fluoride yttrium 95-100 nanometer e; Qedexeya fîzîkî ya Lîstika Fluorbium ya Ytterbium 860-870 nanometer e; Qedexeya fîzîkî ya zincê ya selenide Zincî 240-250 nanometer e; Qedexeya fîzîkî ya duyemîn ya fluoride ya yttrium 95-100 nanometer e.
 

Avantajên teknolojîk
Membrana refleksiyonê ya amadekirî xwedan strukturek hêsan û sêwirana exquisite ye. Fourar kombînasyona çargoşe xwedî taybetmendiyên berxwedana germahiya bilind, mezinahiya bilind, dîmendera membrane ya zexm, stresê temamker di navbera pêlên membran de, û ne rûkalên perdeyên membran. Ew dikare di derheqê şertên germahiya bilind de bi operasyona domdar re bicîh bîne, û materyalên ku di her perçê de têne bikar anîn ne radyoaktîf in, ku dê zirarê negihîne operator û jîngehê.